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Acemap > Paper > C-10-3 グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

C-10-3 グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

2015 
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