Oxydes conducteurs transparents

L'invention concerne un procede pour deposer un film conducteur transparent sur une cible metallique. Un procede pour former un film d'oxyde conducteur transparent selon de modes realisation de l'invention comprend le depot du film d'oxyde conducteur transparent dans un processus d'ions reacteurs a courant alternatif pulse, au moyen de polarisations de substrats, et la commande d'au moins un parametre de processus permettant d'avoir un effet sur au moins une caracteristique du film d'oxyde conducteur. Le film d'oxyde transparent ainsi obtenu, qui peut etre, dans certains modes de realisation, un film d'oxyde d'etain et d'indium, peut presenter une large gamme de proprietes materielles dependant des variations des parametres de processus. Par exemple, la variation des parametres de processus peut produire un film comprenant une large gamme de proprietes resistantes et une souplesse de surface du film.