SCHICHTSYSTEM FÜR DÜNNSCHICHTSOLARZELLEN MIT NaxInlSyClz-PUFFERSCHICHT

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem (1) fur Dunnschichtsolarzellen mit einer Absorberschicht (4), die einen Chalkogenidverbindungshalbleiter enthalt und einer Pufferschicht (5), die auf der Absorberschicht (4) angeordnet ist, wobei die Pufferschicht (5) Na x In l S y Cl z mit 0,05 ≤ x < 0,2 oder 0,2 < x ≤ 0,5, 1 ≤ y < 2 und 0,6 ≤ x/z < 1,4 enthalt.