Carrier Transport Across Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors

我们为调查多晶的硅(poly-Si ) 建立了一个模型薄电影晶体管(TFT ) 。TFT 的转移特征上的谷物边界(GB ) 的效果被越过谷物边界在隧道区域，和搬运人的主导的运输机制考虑数字和谷物边界的宽度分析随后被决定。热电子的排放(TE ) 不管数字和谷物边界的宽度在 TFT 的次于最低限度的操作区域是主导的，这被显示出。到有 1 条 nm 宽度谷物边界的一个 poly-Si TFT 模型，在线性区域，然而，热电子的排放与增加谷物边界宽度和数字类似于通道(TU ) 的，通道变得主导。