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N-rich TiN Capping Layer을 이용한 20nm Gate-Last High-k/Metal Gate MOSFETs의 신뢰성 향상
N-rich TiN Capping Layer을 이용한 20nm Gate-Last High-k/Metal Gate MOSFETs의 신뢰성 향상
2013
배기단
이경택
사공현철
최민혁
김광수
박준균
배상우
박종우
Keywords:
High-κ dielectric
Electrical engineering
Tin
Inorganic chemistry
Engineering
Optoelectronics
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