Recent progress in ZnO-based heterojunction ultraviolet light-emitting devices

宽 bandgap (3.37 eV ) 和 ZnO (60 兆电子伏) 的高激子绑定精力为紫外轻射出的二极管(LEDs ) 和低阀值的放射激光二极管(LD ) 使它成为一个有希望的候选人。然而，在生产稳定、可再现的高质量的 p 类型 ZnO 的困难妨碍了 ZnO pn homojunction LEDs 的发展。为完成 ZnO electroluminescence 的其他的策略是由采用另外的可得到的 p 类型材料制作异质接面设备(例如 p 轧) 或造新设备结构。在这篇文章，我们将简短基于 pn heterostructures 和 metalinsulator 半导体 heterostructures 在 ZnO LEDs/LDs 考察最近的进步。改进设备效率的一些方法也详细被介绍，包括进 ZnO LEDs/LDs 的 Ag 局部性的表面电浆子和单人赛水晶的 nanowires 的介绍。