Preventing the package structure and preparation process of high intensity light emitting diode chip offset

本发明公开了一种防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构，在封装体内设置密封槽，在密封槽内，LED芯片的一端通过金属互连层与正电极表面部分焊接实现键合连接，密封槽主要由在安装LED芯片的焊接位置处制的防偏移凹槽形成，使LED芯片以间隙配合方式固定嵌入设置于防偏移凹槽内，防偏移凹槽作为芯片安装凹槽约束LED芯片的安装位置偏移，从而简化LED回流工艺，提高生产效率及可靠性。 本发明还公开了该封装结构的制备工艺，通过刻蚀工艺或者精密机械加工技术制作一个比LED芯片尺寸略大的防偏移凹槽，优化回流焊接或共晶焊接，提高了发光二极管的生产效率及可靠性，提高封装的对位精度及美观，使发光二极管的出光均匀性显著提高。