Dispositif et procédé de traitement assisté par plasma d'au moins deux substrats

2012 
L'invention concerne un dispositif et un procede de traitement assiste par plasma d'au moins deux substrats (16, 20), le dispositif comportant une chambre a vide (12; 30; 60) dans laquelle au moins deux substrats (16, 20) peuvent etre disposes a un espace predefini l'un de l'autre, avec leur surfaces a traiter se faisant face, et un dispositif de generation de plasma comportant au moins une bobine d'excitation (22; 32; 40; 50; 56; 62) pour l'excitation inductive d'au moins un plasma (80) situe entre les substrats (16, 20).
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