誘電体薄膜、誘電体キャパシタの製造方法、および誘電体メモリ

(57)【要約】 【課題】 結晶性に優れ、しかも、微細加工にも最適 で、膜疲労等も少ない、誘電体薄膜、誘電体キャパシタ の製造方法、および誘電体メモリを簡便に提供する。 【解決手段】 （Ｉ）基板上に設けた下部電極上に、誘 電体薄膜形成用塗布液を塗布、乾燥して被膜を形成する 誘電体被膜形成工程、（ＩＩ）誘電体の結晶化温度未満 の温度で誘電体被膜を加熱処理する仮焼成工程、（ＩＩ Ｉ）上記仮焼成後の誘電体被膜上に仮電極を形成し、熱 処理を行い、誘電体被膜を結晶化させる本焼成工程、 （ＩＶ）仮電極を結晶化した誘電体被膜上から除去する 工程により誘電体薄膜を製造し、さらに（Ｖ）上記結晶 化した誘電体被膜上に上部電極を形成する工程により誘 電体キャパシタを製造する。さらに該誘電体キャパシタ を用いて誘電体メモリを製造する。