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Acemap > Paper > 27aXC-9 GaAs系量子ドットにおける近赤外光照射下での電気伝導特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

27aXC-9 GaAs系量子ドットにおける近赤外光照射下での電気伝導特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

2006 
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