Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
バッファ/「基板界面における原子拡散解析に基づくSi基板上のGaNH EMTのRF漏れの物理的モデル【Powered by NICT】
バッファ/「基板界面における原子拡散解析に基づくSi基板上のGaNH EMTのRF漏れの物理的モデル【Powered by NICT】
2016
Yamaguchi Yutaro
Kamioka Jun
Shinjo Shintaro
Yamanaka Koji
Oishi Toshiyuki
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]