Abrasif et procede de polissage de semi-conducteurs

L'invention porte sur le polissage au moyen d'un abrasif, cet abrasif comprenant des particules abrasives constituees principalement de particules de silice, d'eau agissant comme solvant, et de cellulose soluble dans l'eau et ayant une teneur en impuretes de metaux alcalins inferieure a 5C ppm, C representant la concentration de la cellulose soluble dans l'eau en % en poids. Ce procede de polissage permet d'aplatir une tranche de semi-conducteur sans endommager le substrat et le film a polir, et sans provoquer de cambrure et autre phenomene indesirable.