Band Structure and Lifetime Determinations for GeS from Angle‐Resolved Photoemission

The experimental determination of the electron dispersion relation, E(k‖), for a quasi-two-dimen-sional system is performed by means of angle-resolved photoemission. For the layered single crystal GeS, the whole valence band is mapped using HeI, HeII, and NeI excitation sources. Simple interpretation of peak widths in terms of hole lifetimes, based on a three-step model of photoemission, is given. Die Elektronendispersion E(k‖) fur das quasi-zweidimensionale System wird experimentell mit Hilfe der winkelaufgelosten Photoemission bestimmt. Fur den Schichtkristall GeS wird mit HeI-, HeII- und NeI-Anregungsquellen das gesamte Valenzband untersucht. Eine einfache, auf dem dreistufigen Modell der Photoemission begrundete Interpretation der Peakbreiten fur die Loch-lebensdauer wird angegeben.