Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsenlassen einer Cer-dotierten SrS-Leuchtstoffschicht mittels Atomschicht-Epitaxie-Verfahren. Gemas der Erfindung wird eine metallorganische Cer-Verbindung, die mindestens einen Liganden vom Cyclopentadienyl-Typ enthalt, als eine Vorstufe fur das Dotierungsmittel Cer verwendet. Die Cer-Verbindungen vom Cyclopentadienyl-Typ konnen als ALE-Vorstufen bei Substrattemperaturen von etwa 400 DEG C verwendet werden, ohne das wahrend der Verarbeitung eine thermische Zersetzung beobachtbar ist.