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Acemap > Paper > 23aTD-4 Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)

23aTD-4 Si基板上に形成したGeSn量子ドットの電子状態と発光特性のドットサイズ依存性(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)

2008 
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