（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究

用来制作光电子器件的（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P为直 接带隙的四元合金材料, 对应的发光波长为630 nm, 在其LP-MOCVD （low press-metalorganic chemical vapor deposition）外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键, 找到合适的生长温度窗口很有必要. 实验中分别在700 ℃, 680 ℃, 670 ℃和660 ℃的条件下生长出作为发光二极管 有源区的（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P多量子阱结构, 通过PL谱的测试对比分析, 找出最佳生长温度在670 ℃附近. 之后对比各外延片的PL谱、表面形貌, 并对反应室的气流场进行了模拟, 对各温度下生长状况的原因作出了深入分析. 分析得到,高温下In组分的再蒸发会引起晶格失配并导致位错; 低温下O杂质的并入会形成大量非辐射复合中心影响晶体质量, 因此导致了（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P生长温度窗口较窄, 文章最后提出In源有效浓度的提高是解决高温生长的一条有效途径.