Etude des mécanismes de dégradation dans les Transistors Bipolaires à Hétérojonction InP/GaAsSb/InP utilisés dans les circuits de commande des systèmes de communications optiques 40-80 Gbits/s

Ces travaux presentent la caracterisation et l'etude des mecanismes de degradation d'une technologie de Transistor Bipolaire a double Heterojonction a base GaAsSb sur substrat InP. Dans un premier temps, une etude bibliographique concernant les parametres physiques du materiau GaAsSb dope p, rarement utilise en microelectronique, a ete realise. Celle-ci a eu pour but d'alimenter les differents modeles mis en jeu lors des simulations par elements finis realisees. Dans un second temps, une caracterisation electrique statique et thermique est effectuee. Avec l'aide des outils de modelisation compacte et de simulation physique, deux composantes de recombinaison sont identifiees et une localisation de ces mecanismes est proposee. Ensuite, une caracterisation du bruit basses frequences est realisee qui a permis d'une part l'extraction d'une figure de merite du bruit en 1/f, et d'autre part la mise en evidence d'un mecanisme de bruit RTS "recurent". Ce dernier a fait l'objet d'une etude de temperature pour differentes geometries afin de le caracteriser. Enfin, apres avoir realise une etude bibliographique des mecanismes de degradation apparaissant dans les TBH sur substrat III-V, des tests de vieillissement accelere sous contrainte thermique et sous contraintes thermique et electrique ont ete realises sur des structures TBH ainsi que sur des structures de calibration. Le suivi de l'evolution des parametres du modele compact associe a une bonne connaissance des mecanismes de degradation dans les TBH a permis d'emettre des hypotheses quant a la localisation de ces mecanismes, ainsi que de proposer des solutions technologiques.