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1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
2014
takasi oosawa
hirosi ki koike
sadahiko miura
keizou kinosita
hiroaki honjou
syouzi ikeda
takahiro hanyuu
hideo oono
teturou endou
Keywords:
Magnetoresistive random-access memory
Electronic engineering
Materials science
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