BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques

L'integration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoelectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor a heterojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est realisee. Un couplage optique entre les deux composants, debouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en evidence et analyse.