Analyse technologique et électrique des dispositifs basés sur le transistor à effet de champ à grille Schottky sur arséniure de gallium

Cette etude propose des methodes d'investigations technologiques et electriques adaptees a l'evolution rapide de la technologie et des performances des composants sur arseniure de gallium, caracterises par des geometries submicroniques et des frequences de fonctionnement superieures au gigahertz. De nouvelles procedures d'analyse de construction sont presentees, et les possibilites de la microscopie electronique en transmission pour l'observation de motifs sont mises en evidence. Dans le domaine electrique, des methodes d'extraction des parametres representatifs de la qualite et de la fiabilite des dispositifs sont proposees, notamment par mesure du bruit de fond basses frequences