Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Hybridkontaktstruktur mit Kontakten mit kleinem Aspektverhältnis in einem Halbleiterbauelement

Verfahren mit: Bilden einer dielektrischen Schicht uber einem Schaltungselement, das ein in einem Halbleitergebiet ausgebildetes Kontaktgebiet aufweist; Bilden eines Kontaktelements in der dielektrischen Schicht derart, dass es eine Verbindung zu dem Kontaktgebiet herstellt, wobei das Kontaktelement ein erstes leitendes Material aufweist; Bilden einer Vertiefung in dem Kontaktelement durch Entfernen eines Teils des ersten leitenden Materials; Bilden eines Grabens in der dielektrischen Schicht nach dem Bilden der Vertiefung, wobei der Graben mit dem Kontaktelement in Verbindung steht; Bilden einer Barrierenmaterialschicht in der Vertiefung; und Fullen der Vertiefung mit einem zweiten leitenden Material, das sich von dem ersten leitenden Material unterscheidet, nach dem Bilden der Barrierenmaterialschicht.