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マイクロ波プラズマCVD法によるa‐SiGe:H膜の作成 成膜圧力と反応ガス組成の影響:— 成膜圧力と反応ガス組成の影響 —
マイクロ波プラズマCVD法によるa‐SiGe:H膜の作成 成膜圧力と反応ガス組成の影響:— 成膜圧力と反応ガス組成の影響 —
1989
takesi watanabe
wabun higasi
masahiro tanaka
mituo nakatani
sei sonobe
tosikazu simada
Keywords:
Plasma
Radiochemistry
Amorphous solid
Germanium
Microwave
Materials science
Silicon
Optoelectronics
Deposition (law)
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