H 2 O 2 对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响

基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了a-IGZO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H 2 O 2 对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明，a-IGZO前驱液中不含H 2 O 2 的薄膜，退火温度从220℃升高到300℃，薄膜的光学带隙从3.03增加到3.29，而膜表面粗糙层由20.69 nm降至4.68 nm。在同样的高压退火条件处理下，与前驱液中没加入H 2 O 2 的薄膜相比，折射率显著增加并明显的降低了薄膜表面粗糙度。退火温度在300℃时，薄膜的光学带隙由3.29 eV增大到3.34 eV，表面粗糙层由4.68 nm减少到2.89 nm。因此，H 2 O 2 可以在相对低温条件下有效降低薄膜内部的有机物残留及微缺陷，形成更加致密的a-IGZO薄膜。证明了利用H 2 O 2 能够有效降低溶液法制备a-IGZO薄膜所需的退火温度。