Photoexcitation Effects on the Growth Rate in the Vapor Phase Epitaxial Growth of GaAs

Mise en evidence d'effets de photoexcitation sur la vitesse de croissance dans le cas de la croissance epitaxique de GaAs en phase vapeur. Augmentation de cette vitesse en irradiant la zone substrat avec un laser de 249 nm dans tout le domaine de temperature (480-700°C), diminution de la vitesse en irradiant par un laser de 249 ou 222 nm a des temperatures inferieures a 650°C la zone source