二次退火对Au/Ni/Au/Ni/p-AlGaN欧姆接触组织结构的影响

在蓝宝石衬底上,利用金属-有机物化学气相沉积（MOCVD）方法制备p-i-n结构AlGaN基体,采用常规工艺制作台面型紫外探测器。电子束蒸发蒸镀Ni/Au/Ni/Au（20nm/20nm/20nm/20nm）结构制备p电极。经空气中550℃/3 min一次退火和N2气氛中750℃/30s二次退火后得到欧姆接触。利用高分辨透射电镜（HRTEM）和能谱（EDS）研究不同退火条件下p电极接触的组织结构演变。结果表明：一次退火p电极金属层出现明显扩散,但仍维持初始的分层状态,金属/半导体接触界面产生厚约4nm的非晶层;二次退火后,金属电极分层现象和界面非晶层消失。金/半界面结构表现为半共格关系,界面结构有序性提高。Ni向外扩散,Au向内扩散,Ga扩散至金属电极,造成界面附近金属层富集Au、Ga元素,导致p电极欧姆接触的形成。