Procédés de formation de matériau antireflet développable modelé et enrichi en silicium, et structures de dispositifs à semi-conducteurs comprenant ledit matériau

La presente invention concerne des procedes de formation d'un materiau antireflet developpable modele et enrichi en silicium. Un tel procede implique la formation d'une composition antireflet developpable enrichie en silicium. La composition antireflet developpable enrichie en silicium comprend un polymere enrichi en silicium et un agent de reticulation. Le polymere enrichi en silicium et l'agent de reticulation reagissent pour former un materiau antireflet developpable enrichi en silicium qui est non soluble et qui presente au moins un groupe caracteristique sensible a l'acide. Un materiau photosensible de classe positive, tel qu'une resine photosensible de classe positive, est forme sur le materiau antireflet developpable enrichi en silicium, et certaines de ses regions sont exposees a un rayonnement. Les regions exposees du materiau antireflet developpable enrichi en silicium et les regions s'etendant sous le materiau antireflet developpable enrichi en silicium sont retirees. L'invention concerne egalement des procedes additionnels, tels que des structures de dispositifs a semi-conducteurs comprenant un materiau antireflet developpable enrichi en silicium.