Excition Transfer Between the Manganese Ions in the Semiconductor Alloy Cd1−xMnxTe With x = 0.51

The 2eV luminescence in Cd0.49Mn0.51Te is studied by use of time resolved spectroscopy. A decay time of 24 μs is derived. Slow radiationless energy transfer between Mn2+ ions is observed. The change of the luminescence bandshape during decay suggests a random distribution of excited 4T1-states with a width of 760 cm−1. These results are confirmed by experiments with varying excitation frequency. A weak residual 2 eV-luminescence is observed under subresonant conditions. Its intensity is found to be proportional to the square of the laser power. Die 2 eV-Lumineszenz in Cd0,49Mn0,51 wird mittels zeitaufgeloster Spektroskopie untersucht. Eine Abklingdauer von 24 μs wird abgeleitet. Geringer strahlungsloser Energietransfer zwischen den Mn2+ Ionen wird beobachtet. Die Anderung der Lumineszenzlinienform wahrend des Abklingens weist auf eine zufallige Verteilung der angeregten 4T1-Zustande mit einer Breite von 760 cm−1 hin. Diese Ergebnisse werden durch Experimente mit variierender Anregungsfrequenz bestatigt. Eine schwache 2eV-Restlumineszenz wird unter Subresonanzbedingungen beobachtet. Ihre Intensitat ist proportional zum Quadrat der Laserleistung.