Simultaneous doping of GaP with Sn and Zn

GaP liquid phase epitaxial layers are grown from tin solution with various amounts of Zn added to the melt (x = 3 × 10−3 to 2 × 10−1). The Sn and Zn concentrations NSn and NZn in the solid phase are determined by chemical analysis as function of x and the relation NSn ≈ NZn ≈ (x)1/2 is found. An analysis of the electrical measurements shows that the electrically active acceptor and donor concentrations are NA ≈ 0.04NZn and ND ≈ 0.007NSn independent of x and that NA is nearly equal to the Zn concentration reported for GaP doped with Zn alone. The beginning formation of a mixed crystal of the type (2 GaP)1-x (ZnSnP2)x is supposed to be responsible for the observed results. GaP-Schichten werden durch Flussigphasenepitaxie aus der Zinnlosung unter Zugabe unterschiedlicher Zinkmengen zur Schmelze (x = 3 × 10−3 bis 2 × 10−1) hergestellt. Die Sn- und Zn-Konzentrationen NSn und NZn in der festen Phase werden durch chemische Analyse als Funktion von x bestimmt, wobei sich die Beziehung NSn ≈ NZn ≈ (x)1/2 ergibt. Eine Analyse der elektrischen Messungen zeigte, das die Konzentrationen der elektrisch aktiven Akzeptoren und Donatoren unabhangig von x durch NA ≈ 0.04NZn und ND ≈ 0,007 NSn gegeben sind und das NA nahezu gleich der Zn-Konzentration ist, die sich in nur mit Zn dotiertem GaP ergibt. Es wird vermutet, das die beginnende Bildung eines Mischkristalls vom Typ (2 GaP)1-x(ZnSnP2)x fur das beobachtete Verhalten verantwortlich ist.