ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法

Shinsuke Fujiwara,Makoto Hashimoto,Tomoyoshi Kamimura,Shiko Nishioka,Takuji Okahisa,Manabu Okui,Koji Uematsu,satoru ki   kamimura,yasuzi   uematu,gaku   okui,takuzi   okahisa,sin   hasimoto,sinsuke   fuziwara,kokorozasi gyou   nisioka

ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法

2005

Shinsuke Fujiwara
Makoto Hashimoto
Tomoyoshi Kamimura
Shiko Nishioka
Takuji Okahisa
Manabu Okui
Koji Uematsu
satoru ki kamimura
yasuzi uematu
gaku okui
takuzi okahisa
sin hasimoto
sinsuke fuziwara
kokorozasi gyou nisioka

【課題】半導体デバイスの基板として大型で好適な転位密度を有するＡｌ x Ｇａ y Ｉｎ 1-x-y Ｎ結晶基板、そのＡｌ x Ｇａ y Ｉｎ 1-x-y Ｎ結晶基板を含む半導体デバイスおよびその製造方法を提案する。【解決手段】主面の面積が１０ｃｍ 2 以上であり、外周１２ｖから５ｍｍ以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が１×１０ 2 ｃｍ -2 以上１×１０ 6 ｃｍ -2 以下であるＡｌ x Ｇａ y Ｉｎ 1-x-y Ｎ結晶基板１２。【選択図】図１

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