Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur à base de nitrure et composant semi-conducteur à base de nitrure

L'invention concerne un procede de fabrication d'un composant semi-conducteur a base de nitrure (100) qui comprend les etapes consistant a : - produire un substrat de croissance (1) pourvu d'une surface de croissance (10) qui est formee par une surface plane (11) pourvue d'une pluralite de structures de surface tridimensionnelles (12) sur la surface plane (11), - faire croitre une succession de couches de semi-conducteur a base de nitrure (30) sur la surface de croissance (10). La croissance commence selectivement sur une face de croissance (13) du substrat de croissance et la face de croissance (13) est inferieure a 45 % de la surface de croissance (10). L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur a base de nitrure (100) pouvant etre fabrique avec le procede.