BESONDERHEITEN DER HETEROGENEN RK. IN SYST. MIT BETEILIGUNG VON SIO2 UND AL, CR, V ODER MO
1973
Die Abscheidungsbedingungen von Al, V, Cr und M0 auf Siuz-Schichten auf Si beeinflussen auch die elektrischen Eigenschaften der entstehenden MOS- Halbleiterbauelemente.
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