실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법

실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법이 개시된다. 개시된 실리콘 단결정 잉곳 성장방법은, 쵸크랄스키(CZ) 법에 의하여 실리콘 융액으로부터 단결정을 인상(引上)하는 실리콘 단결정 성장장치 외부측에 배치된 코일에 의하여 인가되는 자기장을 이용하는 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 상기 코일에 의하여 인가되는 자기장의 비율 및 세기를 조절하여 ZGP(Zero Gauss Plane)이 상기 실리콘 융액 표면 상부에 위치되도록 한 것을 그 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 중소구경뿐만 아니라 200mm이상의 대구경 단결정을 제조하는 쵸크랄스키 법에서 비대칭 자기장 제어를 통해 다양하게 요구되는 산소농도 수준을 추가적인 핫존(H/Z) 및 파라미터 교체 등과 같은 손실 없이 결정 길이 방향으로 균일한 분포의 산소농도를 제어할 수 있는 이점이 있다. ZGP(Zero Gauss Plane), 단결정, 웨이퍼