In 0.53 Ga 0.47 As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法，制备了低暗电流、宽响应范围的In 0.53 Ga 0.47 As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下，器件暗电流小于10 nA；-5 V偏压下电容密度低至1.43×10 -8 F/cm 2 .在1 310 nm红外光照及30 V反向偏置电压下，雪崩光电二极管器件的响应范围为50 nW~20 mW，响应度达到1.13 A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系：随着电荷层电荷密度的增加，器件贯穿电压线性增加，而击穿电压线性降低；电荷层电荷面密度为4.8×10 12 cm -2 时，随着倍增层厚度的增加，贯穿电压线性增加，击穿电压增加.通过对器件结构优化，雪崩光电二极管探测器实现25 V的贯穿电压和57 V的击穿电压，且具有低暗电流和宽响应范围等特性.