Koichi Yamaguchi

University of Electro-Communications

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Jojiro Okumura

Hyogo Prefectural Institute of Technology

Yuji Minoura

Osaka City University

Tomah Sogabe

University of Electro-Communications

Toshiyuki Kaizu

Kobe University

Masaru Mori

Keio University

Mari Ishihara

Hyogo Prefectural Institute of Technology

Tadashi Yokoyama

Hiroshima University

Katsuyoshi Sakamoto

University of Electro-Communications

Masayuki Kishibe

Shinshu University

Kazushige Kadota

Kurashiki Central Hospital

Cooperative Institutions

University of Electro-Communications

The University of Tokyo

Gunma University

Uganda Episcopal Conference

Gunma University Hospital

Hokkaido University

Kyoto University

Kobe University

Nagoya City University

Hyogo Prefectural Institute of Technology

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Research Field

Mechanical properties of poly (ethylene terephthalate)/hydrogenated styrene-isoprene block copolymer composites.

NIPPON GOMU KYOKAISHI (1993)

Asahiro Nagatani Mari Ishihara Masaru Mori Jojiro Okumura Koichi Yamaguchi

水素添加スチレン-イソプレンブロック共重合体(SEPS)に繊維長3～10mmのポリエチレンテレフタレート(PET)短繊維を充てんし, 繊維を一軸方向に配向させた短繊維／SEPS複合体を作製した.複合体の引張物性への混練温度の影響はほとんど認められなかったが, 混練温度が低いほどSEPS中へのPET短繊維の分散が良好となった. ロール列理方向では, PET短繊維の充てん量が増加するとともに引張強さおよび引張応力が増大した. 未処理のPET短繊維を用いた場合, 繊維長が異なっても複合体の引張物性はほとんど変化しなかった. 酸変性水素添加スチレン-イソプレンジブロック共重合体で表面処理を施したPET短繊維を用いると, 5mmまでは繊維長が長いほうがロール列理方向における引張強さは大きくなり, 繊維長が5mmのものでは未処理のものに比べて引張強さは約40%増大した. 複合体の貯蔵弾性率はPET短繊維を充てんすることによってSEPSよりも高くなった.

Isoprene

Poly ethylene

10.2324/gomu.66.741

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Self-formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy

Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (2005)

Masahiko Ohta Toru Kanto Koichi Yamaguchi

10.7567/ssdm.2005.e-1-4

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Modification and characterization of styrene-butadiene block copolymer by grafting with macromonomers.

KOBUNSHI RONBUNSHU (1990)

Jojiro Okumura Koichi Yamaguchi Genzo HASHIZUME

スチレン-ブタジエンブロック共重合体 (SBS) をポリスチレン (PSt) またはポリアクリル酸n-ブチル (PBA) マクロモノマーによりグラフト化し, それらのグラフト鎖の分子量及びその数と諸物性との関連について検討した. グラフト化物のオゾン分解により単離されたグラフト鎖の分子量及び未反応のマクロモノマーの分子量は, 用いたマクロモノマーの分子量と一致したことから, マクロモノマーは単独重合せず, 1分子がSBSにグラフトしていることがわかった. PStマクロモノマーによる改質物の引張強さは, グラフト鎖の分子量が6000ではグラフト鎖の数が0.1～0.2個で極大を示し, SBSとPStマクロモノマーのブレンド物より高くなった. 300%引張応力はグラフト鎖の分子量の相違による差はほとんどなく, グラフト鎖の数が多くなるとともに高くなった. 動的粘弾性挙動におけるPStセグメントに基づくtanδのピーク温度から, PStマクロモノマーによる改質物ではグラフト鎖の分子量が大きくなるとともに耐熱性が良好となり, SBSに比べて5～16℃向上することがわかった. PBAマクロモノマーによる改質物ではグラフト鎖の分子量が6000で引張物性はSBSとPBAマクロモノマーのブレンド物より大きく低下し, 柔軟性が付与された.

Characterization

10.1295/koron.47.269

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Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with InAs Quantum Dots

Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (2004)

Takayuki Satoh Koichi Yamaguchi

10.7567/ssdm.2004.p9-4

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Mepolizumab for Eosinophilic granulomatosis with polyangiitis in our hospital

日本呼吸器学会誌(Web) (2020)

Onuki Yuushi Hiroaki Tsurumaki Takami Kobayashi Hiroaki Masubuchi Fueki Eri

Granulomatosis with polyangiitis

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Sun-concentration properties of QD solar cells with in-plane ultrahigh-density InAs QDs

The Japan Society of Applied Physics (2018)

Ryosuke O. Suzuki Katsuyoshi Sakamoto Tomah Sogabe Koichi Yamaguchi

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Evaluation of mold staining with fine particles of polytetra fluoroethylene included in nickel or chromium coating.

NIPPON GOMU KYOKAISHI (1992)

Kiyoshi Ikeda M. Okuno Akihiro YUKAWA Kazushige Kadota Koichi Yamaguchi

各種のゴムによる金型汚染を定量的に評価する目的で, ポリテトラフルオロエチレンの微粒子を含有するニッケル及びクロム金型試験片を使用し, 成形試験前後のフッ素のけい光X線の強度変化から5種類のゴムによる汚染性を比較した. ニッケル金型では, シリコーンゴムは良好な結果であったが, 硫黄を含む配合ゴムでは, 汚染の進行が認められた. クロム金型では, 使用したゴムのうちニトリルゴム, 天然ゴム, シリコーンゴムでは良好な結果であったが, クロロプレンゴムでは若干汚染の進行が認められた. これらの結果は, 実用試験の結果と比較的良い一致を示したことから, 実験室規模の試料及び成形回数で各種ゴムによる金型汚染の定量的な評価が可能となった. 更に, 汚染の原因については, ニッケル金型ではニッケルと硫黄の反応が, またクロム金型ではクロロプレンゴムの塩素とクロムの相互作用及びクロロプレンゴムの脱塩素が原因であると考えられた.

Nichrome

10.2324/gomu.65.694

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Control of GaSb/GaAs Quantum Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy

Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (2003)

Takanori Nakai Seiki Iwasaki Koichi Yamaguchi

GaSb quantum wells (QWs) and quantum dots (QDs) were fabricated on GaAs(001) surfaces by molecular beam epitaxy. By scanning transmission electron microscopy and photoluminescence (PL) measurements, their nanostructures were evaluated. One-monolayer-thick GaSb was precisely formed by the surface exchange reaction between As and Sb atoms, which was monitored by reflection high-energy electron-beam diffraction. In the Stranski-Krastanov growth of the GaSb QDs, low growth rate and low Sb4 pressure were effective conditions for suppressing size fluctuation. As a result, we could obtain the narrowest PL linewidth of 67 meV for GaSb/GaAs QDs.

Semiconductor nanostructures

10.7567/ssdm.2003.p8-6

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One-Dimensional InAs Quantum-Dot Chains Grown on Strain-Controlled GaAs/InGaAs Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter

Japanese Journal of Applied Physics (2002)

Koichi Yamaguchi Kazuhisa Kawaguchi Toru Kanto

Buffer (optical fiber)

Strain (injury)

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