Rodolfo García

Universidad de Ecatepec

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Jesús E. Molinar-Solís

Tecnológico Nacional de México

Alejandra Morales Ramírez

Universidad Autónoma del Estado de México

M. Estrada

Centro Universitário Leonardo da Vinci

Cuauhtémoc Hidalgo Cortés

Universidad Autónoma del Estado de México

Alejandro Dı́az-Sánchez

National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics

A. Cerdeira

Center for Research and Advanced Studies of the National Polytechnic Institute

J. C. Tinoco

Universidad Veracruzana

Juan J. Ocampo‐Hidalgo

Universidad Autónoma Metropolitana

Jesús Ezequiel Molinar Solís

Tecnológico Nacional de México

I. Mejía

Center for Engineering and Industrial Development

Cooperative Institutions

Universidad Autónoma del Estado de México

Instituto Politécnico Nacional

Center for Research and Advanced Studies of the National Polytechnic Institute

National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics

The University of Texas at Dallas

Tecnológico Nacional de México

Universidad Veracruzana

Universidad Nacional Autónoma de México

New Mexico State University

Universidad de Guadalajara

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Research Field

Effects of impurity concentration, hydrogen plasma process and crystallization temperature on poly-crystalline films obtained from PECVD a-Si:H layers

Microelectronics Reliability (2003)

Rodolfo García M. Estrada A. Cerdeira

10.1016/s0026-2714(03)00128-8

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Riqueza de las naciones y remesas en México

Ola Financiera (2023)

Rodolfo García Selene Gaspar

Ante el aniversario de tres siglos del nacimiento de Adam Smith, se han multiplicado los trabajos y comentarios sobre el impacto y pertinencia de las propuestas centrales de su libro Investigación sobre la naturaleza y causas de la riqueza de las naciones de Adam Smith (1776), obra que plantea la importancia de los mercados, la división del trabajo, la especialización de los países y la intervención estatal en la generación de riqueza y el bienestar de la población. A partir de dichos planteamientos y frente a la realidad económica actual de México sostenemos que las remesas recibidas en el país de los migrantes mexicanos en Estados Unidos tienen un significado contradictorio en la percepción de la riqueza nacional. Las remesas representan un flujo creciente de dinero del exterior que ayuda a estabilizar macroeconómicamente a la economía nacional, apoya el crecimiento económico en las regiones con mayor recepción y aumenta el bienestar en 1.8 millones de hogares receptores. La pandemia del COVID-19 impulso el crecimiento del mercado digital conocido como Fintech en el envío de remesas, aprovechando la difusión de las tecnologías de la información y la reducción de sus costos, las empresas en el mercado de transferencia de remesas han aprovechado en su beneficio la coyuntura de expansión en ese mercado. Por otro lado, el monto de la migración y las remesas es proporcional a las diversas crisis económicas durante 40 años y la incapacidad crónica de generar desarrollo económico con empleo y bienestar para toda la población. En conclusión, se corrobora la mayor vulnerabilidad de los perceptores de remesas para enfrentar situaciones catastróficas ante la incertidumbre de su crecimiento en los años siguientes, situación que se agravaría aún más sin las remesas.

10.22201/fe.18701442e.2023.46.86620

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Effects of Pentacene Active Film Thickness on the Threshold Voltage of Pentacene Thin Film Transistors

Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) (2006)

Rodolfo García Benjamin Iiguez M. Jamal Deen Joaquim Puigdollers C. Voz

Abstract not Available.

Pentacene

10.1149/ma2006-02/33/1595

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Optimal Capacitor Location for Radial Systems using Genetic Algorithms

Luis Alejandro Rojas Rodolfo García Luis Roa

In this paper, we describe a new technique for placing fixed capacitors in radial distribution systems based on genetic algorithms (GA). Current optimization models of capacitor placement only consider losses reduction and voltage profile simultaneously, but the compensation cost and the load changes are not taken into account as part of the objective function. Also, the result may be not the best choice because this is a very large optimization problem and there are too many combinations. We present a general approach for the optimal solution of this problem considering all the parameters of the distribution system involved: capacitor cost, voltage, angle and load changes. An exhaustive search through all possible solutions is needed. Therefore, GA is an ideal candidate to solve this situation, Working with this algorithm, a Microsoft Excel program has been developed in order to answer the capacitor placement problem for any kind of radial distribution system

10.1109/tdcla.2006.311545

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Hacia una propuesta para el ordenamiento de los usos de suelo en la periferia de la ciudad de Toluca

Quivera Revista de Estudios Territoriales (2002)

Rodolfo García

Nowadays in all Mexican cities and specially in the country center; experiment a vertiginous horizontal growing toward their peripheries. By this cause is very important doing a preventive planification of the ground uses in peripheries around principal cities. This essay is dedicated to doing some recommendations in preventing the disarranged use 01 the ground in Toluca City periphery. We have in counting than the central city, good or bad it is consolidated, in this case the most important are peripherical areas toward them the city could have an expansion in the future. So, our focus of attention is the peripherical planification more than central city. The essay is composed by three big sections, the first does a brief revision of the Population Plan in Toluca, and we mention the principal flourishes about it. The second section is dedicated to recommending a new methodology in the redaction 01 the urban development plans. Recommendations are in ground uses and every urban problematic. The last section boards a new preposition in the ordering 01 the ground uses in peripherical areas around Toluca City. In this part, we detail periphery zoning aspects and coordination between government circuits to conducting a planification more integral and greater on the ground uses.

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Impact of Applied Voltage on Threshold Voltage Instability in Active Load Thin-Film a-IGZO Inverters

IEEE Transactions on Electron Devices (2023)

Rodolfo García Ovidio Rodriguez‐Lopez Pedro Emanuel Rocha-Flores I. Mejía N. Hernández‐Como

This work presents an analysis and modeling of the electrical stress effects caused by different voltages on a logic inverter device circuit based on thin-film transistor (TFT) technology. The study includes the characterization of single indium-gallium-zinc oxide (IGZO) TFTs and inverters with an active load configuration to investigate the behavior of their threshold voltage (

${V}_{\text {TH}}{)}$

under various bias voltages. Additionally, an analytical model is used to quantify the impact of electrical stress on the trapping parameters of the dielectric–semiconductor interface. The model demonstrates that the charged trapped concentration increases exponentially with the applied voltage bias, resulting in a significant initial shift in

${V}_{\text {TH}}$

. Importantly, this analytical model allows the assessment of the electrical stress effect on TFT-based circuits. The findings can inform the determination of a maximum applied voltage bias based on the desired threshold voltage. Furthermore, the model facilitates the estimation of circuit reliability and lifetime by considering the polarization time under different applied voltage bias conditions.

Overdrive voltage

10.1109/ted.2023.3288074

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Relación entre estilos de aprendizaje, rendimiento académico y otras variables relevantes de estudiantes universitarios

Revista de estilos de aprendizaje (2013)

Alejandra Morales Ramírez Laura Edith Alviter Rojas Cuauhtémoc Hidalgo Cortés Rodolfo García Jesús Ezequiel Molinar Solís

espanolL a p resente investigacion tuvo como proposito identificar los estilos de aprendizaje sobresalientes de los estudiantes de nuevo ingreso de una Universidad Publica del Estado de Mexico y su relacion con rendimiento academico, genero , edad, institucion de procedencia y licenciatur a con el fin de ofrecer informacion oportuna al docente a la hora de pla nificar e impartir su catedra. Se diseno un estudio cuantitativo, transversal, descriptivo y correlacional, mediante la aplicacion del cuestionario CHAEA de Honey - Alonso a u na poblacion de 336 participantes (200 mujeres y 136 hombres) de seis licenciaturas. Los resultados indicaron que los estilos de aprendizaje activo, teorico y pragmatico son los mas comunes en los estudiantes que ingresaron a dicha Universidad en el period o 2012 - B. Empero, al aplicar la prueba t de student y el analisis de varianza se encontraron diferencias significativas con respecto a la edad, promedio e institucion de procedencia, es decir, los estudiantes que tienen 17 anos ( x = 13.0 9 ); los que tienen un promedio entre 8.4 y 8.8 ( x = 13.56 ); y por ultimo los que provienen de una institucion privada ( x = 12.69 ) muestran una preferencia alta por el estilo activo EnglishThis quantitative study determined the main learning styles among recently enrolled students of a public uni versity of the state of Mexico and its relationship to academic performance, gender, age, institution of origin and bachelor programs. A survey was administered to 336 students (200 women and 136 men) of six different bachelor programs. Results show that the active, theoretical and pragmatical styles are much more common in students t hat enro lle d in the 2012 - B term . But there are mean differences by sex, age, GPA, high school and selected career in the active style

Bachelor

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Diseño de una metodología de minería de procesos para el desarrollo de proyectos de tipo empresarial y científico-académicos

Interfases (2024)

Alejandra Morales Ramírez Rodolfo García Juan De Jesus Amador Reyes Cuauhtémoc Hidalgo Cortés

La minería de procesos es una especialidad que permite a las organizaciones descubrir, analizar y mejorar sus procesos reales de negocio mediante la extracción de conocimiento de los registros de eventos que se encuentran en los sistemas de información actuales. La presente investigación tuvo como objetivo proponer una metodología de minería de procesos para el desarrollo de proyectos de tipo empresarial y científico-académico que consta de nueve fases: planeación y alcance, preprocesamiento de datos, procesamiento de datos, análisis de control de flujo, análisis de rendimiento, análisis de roles, presentación de resultados, publicación de resultados, y transferencia y seguimiento. La metodología propuesta es el resultado de la experiencia adquirida a través de la revisión de la literatura, del análisis de las metodologías publicadas y de los conocimientos y experiencias de los investigadores. Es conveniente resaltar que, en investigaciones futuras, se aplicará la metodología propuesta de minería de procesos a diversos casos de estudio, tanto del área empresarial como del ámbito científico-académico. Por ello, el objetivo de este trabajo de investigación está enfocado en analizar la eficiencia de la metodología, la facilidad y pertinencia de su aplicación, así como la congruencia entre las fases que la integran.

10.26439/interfases2024.n19.6732

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Basic logic gates and digital circuits based on flexible IGZO enhancement-mode NMOS TFTs

IEEE Journal on Flexible Electronics (2024)

Pamela Gianna Olguín-Leija Pablo Toledo I. Hernández Arturo Manchado Torres Rodolfo García

An increasing number of new applications beyond displays has been reported for the amorphous oxide semiconductors, especially Indium–gallium–zinc–oxide (IGZO), based flexible thin-film transistors (TFTs). The atomic composition of the IGZO target was In:Ga:Zn= 2:2:2. From sensors to microprocessors, the flexible IGZO TFTs aim to diversify the functionality of silicon legacy nodes. In this work, IGZO enhancement-mode NMOS TFTs, with a minimum channel length of 5 μm, were fabricated on flexible polyimide substrates at temperatures below 150 °C. We observed a small dependency of threshold voltage (2.23±0.06 V) and saturation mobility (3.74±0.57 cm ² /V-s) with the channel width to length ratio. The IGZO TFTs were interconnected in the saturation load configuration for the successful demonstration of basic logic gates (inverter, NAND and NOR gates), a seven-stage ring oscillator, an XOR gate, and a half-adder. Due to this configuration, their output voltage was limited to V _DD -V _TH . Their electrical response was evaluated with direct and alternating voltages at a maximum input frequency of 500 Hz and a power supply of 5 V. Under ac analysis their fall/rise time were in the 3-43/148-212 μs range. The inverter, as the fundamental building block for digital circuits, was also tested at different bending radius from 10 to 2.5 mm. Our results are oriented to a better understanding of the flexible IGZO TFT technology to reach reliable integrated circuits.

NOR logic

10.1109/jflex.2024.3408135

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Sistema de monitoreo de consumo eléctrico con interfaz para teléfono inteligente

Deleted Journal (2019)

Alejandro Andrés Serapio Carmona Ismael Díaz Rangel Rodolfo García Cuauhtémoc Hidalgo Cortés

10.13053/rcs-148-10-24

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