Isabelle Gérard

Institut Lavoisier de Versailles

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Arnaud Etchéberry

Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines

Muriel Bouttemy

Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines

Jean‐François Guillemoles

Centre National de la Recherche Scientifique

Daniel Lincot

Centre National de la Recherche Scientifique

Negar Naghavi

Centre National de la Recherche Scientifique

Zacharie Jehl Li‐Kao

Universitat Politècnica de Catalunya

G. Voorwinden

Würth Elektronik (Germany)

Pierre Tran‐Van

Ho Chi Minh City University of Architecture

Alexandre Causier

Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Nathalie Simon

Centre National de la Recherche Scientifique

Cooperative Institutions

Centre National de la Recherche Scientifique

102

Université Paris-Saclay

Institut Lavoisier de Versailles

Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines

Sorbonne Université

Université Paris-Sud

Université Paris Cité

Institut Photovoltaïque d’Île-de-France

Chimie ParisTech

Institut national de l’information géographique et forestière

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Research Field

Wet etching of InSb surfaces in aqueous solutions: Controlled oxide formation

Applied Surface Science (2013)

Damien Aureau R. Chaghi Isabelle Gérard Hwang Seong Sik Jérémy Fleury

Hydrobromic acid

Isotropic etching

Hydrofluoric acid

10.1016/j.apsusc.2013.03.063

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Mieux réussir dans les filières scientifiques en première année d’université ? Un dispositif pédagogique d’accompagnement différencié, analysé comme appui immédiat pour des étudiant·es en situation d’échec

Didactique (2024)

Isabelle Gérard A. Girard Marine Moyon Olivier Colin Cédric Vanhoolandt

En France, malgré une baisse du niveau en sciences, le nombre de néo-bachelier·es ne cesse d'augmenter. Au-delà de la massification au Supérieur, la diversité de profil et l’hétérogénéité de niveau des étudiant.es de première année se renforcent depuis la réforme du baccalauréat de 2019. Cela contribue au fort taux d'échec en première année. À l'Université de Versailles-Saint-Quentin, les étudiant·es en échec à l’issue du premier semestre universitaire (S1) rejoignent un semestre 2 (S2) spécifique pour re-travailler exclusivement trois unités d’enseignement (UE) du S1 (programme identique mais format pédagogique pouvant varier). Pour les UEs de chimie et de physique, un « dispositif d’accompagnement différencié et personnalisé », s’inscrivant dans une pédagogie active et inclusive est proposé. Un total de 83 étudiant·es en situation d’échec et de 131 étudiant·es en parcours régulier (UE de chimie uniquement) ont pu expérimenter ce dispositif. A l’aide d’un devis quasi-expérimental et de questionnaires auto-rapportés, l’impact de ce dispositif sur l’estime de soi, le sentiment de compétence et la perception des difficultés a été évalué. Chez les étudiant.es en échec, l’augmentation du sentiment de compétence est significative, accompagnée d’une amélioration notable des performances académiques. Ce dispositif semble donc encourageant en termes d’accompagnement vers la réussite.

10.37571/2024.0202

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Aqueous bromine etching of InP: a specific surface chemistry

Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (2012)

Alexandre Causier Muriel Bouttemy Isabelle Gérard Damien Aureau Jackie Vigneron

Abstract The n ‐InP behaviour in HBr (0.1‐1.0 M)/Br 2 (1.25 × 10 ‐2 M) aqueous solutions is studied by AAS, XPS and SEM‐FEG. Indium AAS‐titrations of the HBr/Br 2 solutions demonstrate that InP undergoes an etching mechanism whatever the HBr/Br 2 formulation. The etching process is always linear with time but its rate depends on the HBr concentration. XPS analyses permit to link the apparent slow‐down of the dissolution process when decreasing the HBr molarity from 1.0 M to 0.1 M to the presence of a mixed (In,P) ox oxide layer on the surface. Therefore, the dissolution process of InP in HBr/Br 2 solution appears to be ruled by the surface chemical state (© 2012 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Molar concentration

10.1002/pssc.201100681

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Cadmium sulfide/indium phosphide as a model system for understanding indium related chemical reactivity at CIGS/CdS interface: XPS and ex situ luminescence investigations

Thin Solid Films (2004)

B. Canava Isabelle Gérard Jean‐François Guillemoles Daniel Lincot Arnaud Etchéberry

Passivation

Chemical bath deposition

Cadmium sulfide

10.1016/j.tsf.2004.11.074

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Citations (9)

Electronic Structure of f-Element Systems in the UV and VUV Energy Range

Acta Physica Polonica A (1993)

J.C. Krupa Isabelle Gérard Alexandre Mayolet Patrick Martin

The main interest of this work is focused on the localization in energy of the different photon absorption mechanisms occurring in fluoride systems doped with rare earth ions by recording the visible luminescence excited by UV and VUV photons between 5 to 25 eV.Low temperature experiments have provided opportunity to measure in good conditions the charge transfer and the excited 4f' 5d configuration transitions in the LaF 3 :Ln3 +, O 2systems (Ln = Eu, Dy, Er).

10.12693/aphyspola.84.843

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Citations (7)

Modelling of n-type CdTe photoluminescence variation with polarization: a probe of the shift of semiconductor band edges

Journal of Electroanalytical Chemistry (1996)

Isabelle Gérard F. Iranzo-Marín Jackie Vigneron Arnaud Etchéberry

Cadmium telluride photovoltaics

10.1016/0022-0728(95)04288-1

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Investigation of Recombination Processes in CIGS Based Solar Cells with Submicrometer Absorber Layers

World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (2010)

G. Voorwinden Arnaud Etchéberry Pierre Tran‐Van Isabelle Gérard Daniel Lincot

Current versus voltage and temperature (IVT) characterizations have been performed on CIGS (Cu(In,Ga)Se2 solar cells previously submitted to a chemical etching of their absorber layer. This study aims to investigate the changes in recombination paths, if any, when the absorber layer thickness is reduced. Diode parameters saturation current, ideality factor, series and parallel resistances were extracted from the IVT curves through a method based on the one-diode model. No clear evolution with thickness of the parameters was found among the etched samples. Temperature-dependent ideality factor and very high values of the saturation current activation energy were deduced from the data, denoting a tunneling-enhanced interface recombination process. A different behavior was however detected between the non etched control sample and the others that could be due to a modification of the surface of the CIGS layer during the very early stages of the etch.

Saturation current

Equivalent series resistance

Saturation (graph theory)

10.4229/25theupvsec2010-3bv.2.88

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Molybdène et autres métaux dans les abeilles et pollens.”,

L. Colin I. Ribaud Isabelle Gérard M. Frégnaux Jean‐Christophe Sandoz

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Identifier les écarts entre les représentations du métier d'étudiante par les étudiantes et par les enseignantes