ЄМ

Є.Є. Мельничук

Author Statistics

Papers

Citation

H-Index

i-10 index

Research Trends

Author Order

Document Type

Co-Authors

СК

С.В. Кондратенко

Taras Shevchenko National University of Kyiv

М.Ю. Рубежанська

О.Й. Гудименко

З.Ф. Цибрій

О.І. Даценко

Ж. Грене

Institut des Nanotechnologies de Lyon

ЮГ

Ю.В. Гоменюк

ВВ

В. В. Козаченко

Taras Shevchenko National University of Kyiv

V.P. Kladko

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics

ВЛ

В.С. Лисенко

Cooperative Institutions

Taras Shevchenko National University of Kyiv

University of Electronic Science and Technology of China

Université Claude Bernard Lyon 1

National Academy of Sciences of Belarus

Moscow Engineering Physics Institute

Kaliningrad State Technical University

Institute of Engineering Physics

Institut des Nanotechnologies de Lyon

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics

National Academy of Sciences of Ukraine

Author Statistics

Papers

Citation

H-Index

i-10 index

Research Field

Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si

Ukrainian Journal of Physics (2022)

В. В. Козаченко С.В. Кондратенко Є.Є. Мельничук О.І. Даценко З.Ф. Цибрій

У роботі методами спектроскопії поверхневої фото-ерс, фото-люмінесценції, AFM та FTIR досліджено структуру Au–C60–Si. Досліджено також кінетику поверхневої фото-ерс. Показано, що фотолюмінесценція та поверхнева фото-ерс в інтервалі 1,3–1,8 еВ зумовлені оптичними переходами за участі синглетних та триплетних екситонних станів. Встановлено, що генерація поверхневої фото-ерс у структурі Au–C60–Si зумовлена просторовим розділенням електронно-діркових пар в плівці C60.

10.15407/ujpe56.3.263

Cite

Citations (0)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)

Ukrainian Journal of Physics (2021)

В.С. Лисенко С.В. Кондратенко Ю.М. Козирев М.Ю. Рубежанська V.P. Kladko

Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si–Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обґрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.

10.15407/ujpe57.11.1132

Cite

Citations (1)